Präzisions-Ultradünner Diamantdraht für das Schneiden von Halbleiter-PV-Siliziumwafern

Präzisions-Ultra-feine Diamantdraht für Halbleiter- und PV-Siliziumwafer-Schneiden

BeschreibungPräzisions-Ultra-feine Diamantdraht für Halbleiter- und PV-Siliziumwafer-Schneiden:

Precision ultra-thin diamond wire is a cutting-edge cutting tool used in the semiconductor and photovoltaic (PV) industries for slicing silicon wafers with exceptional accuracy and minimal material lossEs besteht aus einem hochspannbaren Kerndraht (typischerweise aus Stahl oder Wolfram), der mit abrasiven Partikeln aus Diamanten überzogen ist, wodurchmit einer Breite von nicht mehr als 20 mm,.

Merkmale für Präzisions-Ultra-Dünn-Diamantdraht für das Schneiden von Halbleitern und PV-Siliziumwafer:
1. Ultra-Dünner Durchmesser: In einem Bereich von 30 ‰ 100 μm ermöglicht dies einen minimalen Kerfverlust und einen höheren Waferertrag.
2. Hochpräzisionsschneiden: Gewährleistet eine gleichmäßige Waferdicke (bis zu 100 ‰ 200 μm) mit überlegener Oberflächenqualität.
3. Diamant Abrasive: Synthetische Diamantpartikel (5-30 μm) bieten eine außergewöhnliche Härte und Verschleißbeständigkeit.
4- Hochspannkraftkern: Stahl- oder Wolframdraht sorgt für Langlebigkeit und Bruchbeständigkeit beim Hochgeschwindigkeitsschneiden.
5. Niedrige Drahtschwingung: Verbessert die Schneidstabilität und reduziert Oberflächenfehler wie Mikrokrecken.

Anwendungen für Präzisions-Ultra-dünne Diamantdraht für Halbleiter- und PV-Siliziumwafer-Schneiden:
1. Halbleiterindustrie: Schneiden von Siliziumblöcken in ultradünne Wafer für ICs, MEMS und Stromgeräte. Ermöglicht dünnere Wafer für fortschrittliche Verpackungen (z. B. 3D-ICs).

2. Photovoltaik (PV) Solarzellen:Schneiden von monokristallinen und polykristallinen Siliziumblöcken zu Wafern für hocheffiziente Solarzellen. Verringert Siliziumabfälle und senkt die Produktionskosten.

3. Advanced Materials Processing: Wird für das Schneiden von zerbrechlichen Materialien wie Saphir, SiC und Glas verwendet.

Vorteile für Präzisions-Ultra-Dünn-Diamantdraht für das Schneiden von Halbleitern und PV-Siliziumwafer:
1. Höhere Effizienz: Schnellere Schneidgeschwindigkeiten (bis zu 1,5 bis 2,5 m/s) im Vergleich zum Schlamm-basierten Mehrdrahtsägen.
2. Niedrigere Materialabfälle: Der Kerfverlust wird auf ~ 100 μm reduziert (gegenüber 150~200 μm bei Schlammsägen).
3. Umweltschonend: Entfernt Schlammmüll und verringert damit die Auswirkungen auf die Umwelt.
Kosteneffizient: Längere Lebensdauer und höhere Produktivität senken die Gesamtherstellungskosten.